全球第二大記憶體製造商SK Hynix位於中國大陸無錫的動態隨機存取記憶體(DRAM)廠房日前遭祝融肆虐，導致全球DRAM供應量受到衝擊；而SK Hynix為彌補DRAM產能不足，遂將部分儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產線挪為生產DRAM，使得NAND Flash供貨也連帶受到影響，緊縮警報恐至年底方可解除。
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| 宇瞻VA-eFlash產品部經理林志亮表示，隨著16奈米以下更先進製程的產能陸續開出，NAND Flash的價格亦將持續下探，恐將難以見到回漲的局勢。 |
宇瞻VA-eFlash產品部經理林志亮表示，SK Hynix位於無錫的DRAM晶圓廠突如其來的大火，不僅影響全球DRAM供貨量，更因SK Hynix於火警發生後，立即將原本NAND Flash部分產線改成量產DRAM，致使2013年全球NAND Flash市場供過於求的局勢出現大逆轉。
據了解，SK Hynix的無錫DRAM廠房引發大火後，主要採購廠商如蘋果(Apple)及其他中國大陸山寨智慧型手機製造商，以及惠普(HP)、戴爾(Dell)等個人電腦(PC)品牌商，恐將受到最大的影響，預期均將積極尋求其他供貨來源，以確保出貨無虞。
林志亮認為，SK Hynix無錫DRAM廠房，預估需要約6～9個月才能復原，換言之，至2014年上半年之前，DRAM市場仍會陷入供不應求的窘境。
至於NAND Flash方面，林志亮分析，儘管美光、三星(Samsung)及東芝(Toshiba)紛紛加緊擴充NAND Flash產能，同時展開三維(3D)NAND Flash的布局，但是各大廠最快要到2013年第四季才會正式投產，以此推估，今年9～10月NAND Flash供貨也仍吃緊；至11～12月產能開出後才有望稍稍紓解。
